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化学机械抛光(CMP)是芯片制造过程中实现晶圆表面平坦化的关键工艺,相较传统的纯机械或纯化学抛光方法,CMP技术处理后的晶圆平坦度更高。在晶圆制造材料中,CMP抛光材料占据了7%的市场,抛光材料是CMP过程中使用的重要材料,然而高性能稀土抛光材料国产化率低,很大程度上制约了我国高端芯片的国产化。

(1)采用两步沉淀的方法,通过调整沉淀工艺条件得到不同粒径的前驱体,煅烧后制备粒径均一,分散性良好的CeO2纳米磨料粒子。(2)添加适当助剂对反应进行有目的的诱导,促进晶态化过程。(3)采用氟化配方,细化晶粒并且改变晶型,减少团聚。





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