化学机械抛光（CMP）是芯片制造过程中实现晶圆表面平坦化的关键工艺，相较传统的纯机械或纯化学抛光方法，CMP技术处理后的晶圆平坦度更高。在晶圆制造材料中，CMP抛光材料占据了7%的市场，抛光材料是CMP过程中使用的重要材料，然而高性能稀土抛光材料国产化率低，很大程度上制约了我国高端芯片的国产化。

（1）采用两步沉淀的方法，通过调整沉淀工艺条件得到不同粒径的前驱体，煅烧后制备粒径均一，分散性良好的CeO2纳米磨料粒子。（2）添加适当助剂对反应进行有目的的诱导，促进晶态化过程。（3）采用氟化配方，细化晶粒并且改变晶型，减少团聚。